成果信息
利用自源自偏壓空心陰極放電法沉積DLC薄膜的裝置及基于該裝置沉積DLC薄膜的方法，涉及沉積DLC薄膜的裝置和方法，目的是為了克服由于現(xiàn)有技術(shù)所采用方法的局限性，導(dǎo)致無法靈活地對工件的局部進行鍍膜的問題，裝置包括籠網(wǎng)、真空室、高壓脈沖電源、偏壓脈沖電源和解耦裝置；籠網(wǎng)裝置在待鍍膜工件之間具有間隙且絕緣，籠網(wǎng)與待鍍膜工件總體構(gòu)成空心陰極放電結(jié)構(gòu)；方法具體步驟如下：步驟一、沉積硅過渡層；步驟二、沉積薄膜。本發(fā)明的有益效果是：裝置簡單，籠網(wǎng)大小可以根據(jù)所需鍍膜范圍任意調(diào)節(jié)，能夠滿足不同尺寸表面的局部鍍膜要求，靈活性好。)
背景介紹
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應(yīng)用前景
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