成果信息
一種面向TLC型NAND Flash的閾值電壓獲取方法，涉及固態(tài)存儲(chǔ)領(lǐng)域，為了解決由于NAND Flash的閾值電壓只能通過NAND Flash讀操作來間接測量而導(dǎo)致其可靠性差的問題。本發(fā)明通過首先將指定數(shù)據(jù)寫入閃存；其次對NAND Flash執(zhí)行READ？OFFSET操作獲得位翻轉(zhuǎn)數(shù)據(jù)；最后對位翻轉(zhuǎn)數(shù)據(jù)進(jìn)行處理和擬合，最終獲得閾值電壓分布模型。有益效果為利用NAND Flassh中開放的READ？OFFSET功能，通過控制其讀參考電壓偏移的方法，找到參考電壓和閾值電壓分布的關(guān)系，間接測量出NAND Flash閾值電壓分布；通過對不同狀態(tài)的NAND Flash閾值電壓分布測試，還可以找到其讀干擾、編程干擾、駐留偏移、P/E磨損規(guī)律；可以用來預(yù)測NAND Flash使用壽命，也可以為ECC（Error Cprrection Code）強(qiáng)度匹配提供數(shù)據(jù)支撐，從而提高SSDs的讀寫性能。)
背景介紹
/)
應(yīng)用前景
/)
主辦單位： 郴州市科學(xué)技術(shù)局
技術(shù)支持： 長沙諾為信息技術(shù)有限公司
郴州市科學(xué)技術(shù)局版權(quán)所有 ICP備案號(hào)： 湘ICP備10209074號(hào)-33
公安備案號(hào) ：
43110302000213
