成果信息
1、本發(fā)明可根據(jù)防護(hù)等級的不同進(jìn)行增減N+注入?yún)^(qū)Ⅰ和N+注入?yún)^(qū)Ⅱ的數(shù)量，即若防護(hù)等級高，則增加N+注入?yún)^(qū)Ⅰ和N+注入?yún)^(qū)Ⅱ的數(shù)量，改善器件電流均勻分布的情況，提高器件的魯棒性，防護(hù)等級低，則減少N+注入?yún)^(qū)Ⅰ和N+注入?yún)^(qū)Ⅱ的數(shù)量，縮小版圖面積。 2、本發(fā)明的最右側(cè)N+注入?yún)^(qū)Ⅰ與第一P阱右側(cè)邊緣之間的距離S2可調(diào)，通過控制S2的大小來調(diào)節(jié)器件的觸發(fā)電壓，當(dāng)S2增大時，靜電防護(hù)器件的觸發(fā)電壓也隨之增大。 3、本發(fā)明的第一P阱與第二P阱之間的距離S1可調(diào)，當(dāng)S1增大時，使得縱向NPN型三極管的基區(qū)寬度也隨之增大，減小了縱向NPN型三極管的放大倍數(shù)，維持電壓隨之增加。)
背景介紹
當(dāng)ESD脈沖加在雙向SCR陽極時，N型深阱與第三P+注入?yún)^(qū)形成反偏PN節(jié)。當(dāng)這個脈沖電壓高于這個PN結(jié)的雪崩擊穿電壓的時候，器件的內(nèi)部就會產(chǎn)生大量的雪崩電流，電流的流通路徑為經(jīng)過第二P阱寄生電阻流向了另一端，既陰極。當(dāng)這個寄生的阱電阻兩端的電壓高于縱向NPN三極管的cb結(jié)（由第二P阱與第二N注入構(gòu)成）的正向的導(dǎo)通電壓的時候，此三極管開啟。此三極管開通后，為橫向PNP三極管提供基極電流，橫向PNP三極管也開啟后，也為縱向NPN三極管提供基極電流，構(gòu)成正反饋回路。所以就算之后沒有雪崩電流，由于三極管導(dǎo)通，也可以泄放靜電。雙向SCR為一個對稱結(jié)構(gòu)，當(dāng)陰極出現(xiàn)ESD脈沖的時候，N型深阱與第二P+注入?yún)^(qū)產(chǎn)生的PN結(jié)雪崩擊穿，使得PNP三極管與NPN三極管先后導(dǎo)通泄放靜電。但是SCR具有高觸發(fā)電壓以及低維持電壓，易超出設(shè)計(jì)窗口，容易造成閂鎖，故需要提高其維持電壓。但是提高維持電壓的方法，會降低器件的魯棒性，所以還需要著重考慮其魯棒性。)
應(yīng)用前景
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