成果信息
與傳統(tǒng)“三維溝槽電極硅探測器”相比，本發(fā)明探測器優(yōu)化了結構類型，空心四棱環(huán)電極、中央電極空心柱完全貫穿了整個硅體，空心四棱環(huán)電極內嵌套有八邊環(huán)電極，八邊環(huán)電極與空心四棱環(huán)電極的四個直角相對應的邊為四分之一圓弧環(huán)，八邊環(huán)電極的四分之一圓弧環(huán)與空心四棱環(huán)電極的對應直角圍合成死區(qū)，在滿足工藝參數(shù)的前提下極大地減小了死區(qū)面積，提升了探測器的綜合性能，有效的從工藝結構上避免了弱電場的問題；空心四棱環(huán)電極和中央電極空心柱均為貫穿刻蝕，能夠從上下兩面進行雙面刻蝕，工作時，粒子能夠雙面入射，使得探測器反應更為靈敏。 附圖說明 )
背景介紹
探測器廣泛應用于高能物理、天體物理、航空航天、軍事、醫(yī)學等技術領域，在高能物理及天體物理應用中，探測器處于強輻照條件下，因此對探測器本身有嚴格的要求，要求其具有較強的抗輻照能力，且漏電流以及全耗盡電壓不能太大，對于其體積的大小也有不同的要求。傳統(tǒng)的“三維溝槽電極硅探測器”有許多不足之處：其一，在其正負極之間的電場分布并不均勻，且電場線多是曲線，不是最短的直線，而電子在電場中的運動是沿著電場方向的，進而導致電子的漂移距離增加，隨著電子漂移距離的增加，輻射產生的缺陷能級對電子的影響越大，導致電信號的衰減；其二，傳統(tǒng)的“三維溝槽電極硅探測器”在進行電極刻蝕時不能完全的貫穿整個硅體，使得探測器有一部分不能刻蝕，稱該部分為“死區(qū)”，“死區(qū)”部分的電場較弱，電荷分布不均勻，進而影響探測器的性能；而且“死區(qū)”部分在單個探測器中占據10％-30％，如果是做成列陣，則會占據更大的比例。其三，傳統(tǒng)的“三維溝槽電極硅探測器”只能是在單面進行刻蝕。最后，傳統(tǒng)的“三維溝槽電極硅探測器”在工作時，粒子也只能是單面入射。因此提出一種新型的三維溝槽電極硅探測器顯得尤為重要。)
應用前景
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