成果信息
本發(fā)明的目的在于提供一種高溫下微觀結(jié)構(gòu)可控的納米金屬氧化物半導體薄膜電極材料的制備方法，具有成本低、制備簡單的優(yōu)點，且所得材料具備完好的納米棒微觀結(jié)構(gòu)和高光電化學活性。)
背景介紹
金屬氧化物因其性質(zhì)穩(wěn)定、來源豐富、成本低廉且無毒性等優(yōu)點引起了人們的格外關(guān)注，其中金屬氧化物半導體在太陽能光伏電池、光電化學傳感器、光催化分解水制氫等領(lǐng)域顯示出廣泛的應用前景。具有一定微觀形貌的納米金屬氧化物半導體,通常擁有更大的比表面積，能有效減少光生電子和空穴的復合，因而具有更優(yōu)良的光電化學性能。目前，國內(nèi)外科研工作者已成功制備出了具有各種微觀形貌的納米金屬氧化物半導體，如：納米線、納米帶、納米片、納米棒等，并對其光電化學性能進行了深入的研究。為了進一步提高納米金屬氧化物半導體的光電化學性能，提高其結(jié)晶度或?qū)ζ鋼诫s改性是較常用的方法，而高溫煅燒是最常用的處理手段之一。然而納米金屬氧化物半導體的微觀結(jié)構(gòu)經(jīng)高溫處理后往往會因為團聚遭到破壞，如何在高溫下對納米金屬氧化物半導體的微觀結(jié)構(gòu)進行精確控制,獲得具有一定微觀結(jié)構(gòu)的納米金屬氧化物半導體薄膜電極材料成為大家普遍關(guān)心和亟待解決的問題。)
應用前景
/)
主辦單位： 郴州市科學技術(shù)局
技術(shù)支持： 長沙諾為信息技術(shù)有限公司
郴州市科學技術(shù)局版權(quán)所有 ICP備案號： 湘ICP備10209074號-33
公安備案號 ：
43110302000213
