成果信息
本發(fā)明目的在于克服現(xiàn)有技術(shù)存在的不足，而提供一種制備工藝簡單、鐵電性良好且適用于一類鐵電薄膜的微區(qū)形貌修飾和圖形化的方法。)
背景介紹
1)通過溶膠-凝膠法、物理沉積法或化學氣相沉積法等獲得的鐵電薄膜表面不是很平整，粗糙度值在3～10nm之間；這對后續(xù)的刻蝕工藝提出了更高要求； 2)改進鐵電薄膜的制備工藝(如溶液的配置、勻膠機的轉(zhuǎn)速、退火溫度等)，獲得表面形貌較平整的薄膜，然后采用反應(yīng)離子束刻蝕(RIE)或離子束刻蝕(IBE)等方法進行刻蝕；但是，刻蝕工藝參數(shù)并沒有得到非常具體的深入研究； [0006] 3)采用RIE技術(shù)刻蝕鐵電薄膜，雖然會有很大的刻蝕速率，但化學刻蝕的產(chǎn)物會有部分殘留在鐵電薄膜表面而難以去掉；同時，相對于IBE而言，RIE技術(shù)設(shè)備昂貴且操作流程較復(fù)雜； 4)對于不同晶體結(jié)構(gòu)或組成成份的鐵電薄膜，最終刻蝕效果差異較大，沒有適用于具體某一類鐵電薄膜材料。)
應(yīng)用前景
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