成果信息
我們通過從能帶計算、結構設計到外延優(yōu)化的一系列創(chuàng)新性工作，實現(xiàn)了高質(zhì)量高Al組分AlGaN材料的外延生長，在國內(nèi)首次成功制備了300nm以下的深紫外LED器件，并提高了深紫外LED的發(fā)光效率，實現(xiàn)了器件的毫瓦級功率輸出。在20mA電流下，室溫連續(xù)輸出功率大于2mW。 )
背景介紹
與GaN 基藍光LED 相比，目前紫外LED 、尤其是波長短于300nm 的深紫外LED 的研發(fā)更加困難。紫外LED在生化探測、殺菌消毒、無線通訊等領域都有重大應用價值，因此，盡管紫外LED的研究充滿挑戰(zhàn)性，但是它依然吸引了美、日等國家和地區(qū)的眾多研究機構。)
應用前景
深紫外LED在殺菌消毒、醫(yī)療衛(wèi)生、生物探測、安全通訊、白光照明等諸多領域有著廣闊的市場前景，潛在市場規(guī)?？蛇_數(shù)十億美元。相比于目前傳統(tǒng)紫外光源汞燈而言，不存在汞污染的環(huán)境問題，更加符合當今綠色環(huán)保的產(chǎn)業(yè)發(fā)展趨勢，而且具備小巧輕便、低壓低耗、易于調(diào)諧等優(yōu)點。目前在殺菌消毒方面已有相關產(chǎn)品和市場應用，在醫(yī)療、生物、環(huán)境等領域的應用目前正在拓展中。)
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