成果信息
Ga2O3粉末與炭粉混合，研磨2min以上得到前驅(qū)物粉體；在經(jīng)清洗和氫氟酸處理后烘干的襯底上鍍厚度5nm-30nm的金屬催化劑薄膜；將前驅(qū)物粉體和襯底放入等離子增強化學氣相沉積系統(tǒng)中進行制備：采用N2和H2反應氣壓10-100Pa；襯底溫度800℃-1100℃；射頻電源功率40-90W，調(diào)節(jié)電源功率至得到穩(wěn)定的亮黃紫色輝光的等離子氣體。本發(fā)明摒棄對環(huán)境和設備存在污染和腐蝕的NH3，采用簡單的實驗設備和價格低廉且易獲得的原料制備出表面光滑的單晶六方纖鋅礦結(jié)構(gòu)氮化鎵納米線，具有典型的納米線光致發(fā)光特性和優(yōu)異的場發(fā)射性能。)
背景介紹
一種無氨化制備氮化鎵納米線的方法，屬于無機化合物半導體材料制備與生長領域。)
應用前景
一種無氨化制備氮化鎵納米線的方法，屬于無機化合物半導體材料制備與生長領域。Ga2O3粉末與炭粉混合，研磨2min以上得到前驅(qū)物粉體；在經(jīng)清洗和氫氟酸處理后烘干的襯底上鍍厚度5nm-30nm的金屬催化劑薄膜；將前驅(qū)物粉體和襯底放入等離子增強化學氣相沉積系統(tǒng)中進行制備：采用N2和H2反應氣壓10-100Pa；襯底溫度800℃-1100℃；射頻電源功率40-90W，調(diào)節(jié)電源功率至得到穩(wěn)定的亮黃紫色輝光的等離子氣體。本發(fā)明摒棄對環(huán)境和設備存在污染和腐蝕的NH3，采用簡單的實驗設備和價格低廉且易獲得的原料制備出表面光滑的單晶六方纖鋅礦結(jié)構(gòu)氮化鎵納米線，具有典型的納米線光致發(fā)光特性和優(yōu)異的場發(fā)射性能。)
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