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成果信息
本技術(shù)采用基于溶膠-凝膠的溶液涂覆工藝，突破了制膠、涂覆、空氣退火、硒化、回火等一系列工藝難點(diǎn)，獲得高結(jié)晶質(zhì)量和低缺陷密度的硒摻雜銅鋅錫硫（即銅鋅錫硫硒CZTSSe）薄膜。以該薄膜作為光吸收層，同時(shí)結(jié)合實(shí)驗(yàn)室開(kāi)發(fā)的直流濺射Mo、化學(xué)水浴沉積CdS、射頻濺射沉積本征ZnO和直流濺射沉積鋁摻雜ZnO和柵線蒸鍍等技術(shù)，實(shí)現(xiàn)高效率銅鋅錫硫硒薄膜太陽(yáng)電池的制作。批量制得的器件光電轉(zhuǎn)換效率均能夠達(dá)到8%以上。典型器件的性能如下：開(kāi)路電壓為451 mV，短路電流密度為 31.7mA/cm2，填充因子57.7%，光電轉(zhuǎn)換效率為8.25%。)
背景介紹
銅鋅錫硫基半導(dǎo)體有高的光吸收系數(shù)和合適的帶隙寬度，且不含銦、鎵等元素，具有礦源豐富、環(huán)境友好等特點(diǎn)，成為新一代薄膜太陽(yáng)電池光吸收層材料的有力競(jìng)爭(zhēng)者。)
應(yīng)用前景
由于該技術(shù)具有方法簡(jiǎn)易、成本低廉、成膜質(zhì)量高等優(yōu)點(diǎn)，既避免了肼溶液法環(huán)境危害大、操作困難的缺點(diǎn)，又比真空法（濺射或蒸發(fā)）的成本低，具有良好的應(yīng)用前景。)
主辦單位： 郴州市科學(xué)技術(shù)局
技術(shù)支持： 長(zhǎng)沙諾為信息技術(shù)有限公司
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