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成果信息

制得的器件開路電壓為630 mV，短路電流為32.7 mA/cm2，填充因子為71.7 %，光電轉(zhuǎn)換效率達(dá)到14.8 %（面積為41.848 mm2）。該效率由中國計(jì)量科學(xué)研究院第三方測(cè)量獲得（證書編號(hào)：GXtc2015-0095）。該技術(shù)采用電沉積工藝，具有低成本、高轉(zhuǎn)換效率、易于規(guī)模化生產(chǎn)等優(yōu)勢(shì)。 )

背景介紹

本技術(shù)針對(duì)現(xiàn)有銅銦鎵硒薄膜太陽電池真空法制備存在的設(shè)備投資大、產(chǎn)能低、難以連續(xù)成產(chǎn)、成本高昂等問題，采用基于電沉積合金預(yù)制層后硒化的工藝路線制備銅銦鎵硒薄膜光吸收層，并采用硫化氫氣氛快速熱處理工藝對(duì)其進(jìn)行表面硫化形成梯度帶隙。同時(shí)結(jié)合實(shí)驗(yàn)室開發(fā)的直流濺射Mo、化學(xué)水浴沉積CdS、射頻濺射沉積本征ZnO和直流濺射沉積鋁摻雜ZnO和柵線蒸鍍等技術(shù)，實(shí)現(xiàn)高效率銅銦鎵硒薄膜太陽電池的制作。)

應(yīng)用前景

本技術(shù)采用基于電沉積的工藝路線制備銅銦鎵硒薄膜太陽電池，處于國際先進(jìn)水平，具有良好的推廣應(yīng)用前景。)