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成果信息

本成果采用應(yīng)變量子阱結(jié)構(gòu)降低器件的閾值電流、獨(dú)特的超大光腔非對(duì)稱波導(dǎo)結(jié)構(gòu)改善器件的遠(yuǎn)場(chǎng)特性并提高其腔面COD水平。獨(dú)有的MOCVD芯片外延技術(shù)，可以在原子層量級(jí)控制外延層的厚度，使兩種材料的界面實(shí)現(xiàn)陡峭生長(zhǎng)，能精確控制各層中的摻雜濃度，摻雜及厚度均勻性的控制保證了器件量產(chǎn)的一致性。采用離子鈍化腔面技術(shù)，減少腔面懸掛鍵，提高器件的可靠性，且無(wú)須價(jià)格高昂的真空解理設(shè)備，降低生產(chǎn)成本。)

背景介紹

半導(dǎo)體激光器具有體積小、重量輕、轉(zhuǎn)換效率高、壽命長(zhǎng)等優(yōu)勢(shì)，應(yīng)用范圍覆蓋了整個(gè)光電子學(xué)領(lǐng)域，已成為當(dāng)今光電子科學(xué)的核心技術(shù)。半導(dǎo)體激光器在光纖通信、光存儲(chǔ)、材料加工及光刻、醫(yī)療和美容、娛樂和顯示、激光測(cè)距、激光雷達(dá)、激光武器、激光警戒、激光制導(dǎo)跟蹤器等方面獲得了廣泛的應(yīng)用，形成了廣闊的市場(chǎng)。)

應(yīng)用前景

以光輸出功率在10W以上的9XXnm系列大功率半導(dǎo)體激光器為例，市場(chǎng)需求非常大，僅國(guó)內(nèi)年需就達(dá)30萬(wàn)只以上，且市場(chǎng)需求還在不斷上升，但目前全部依賴進(jìn)口。大功率半導(dǎo)體激光器在醫(yī)療、工業(yè)、通信、軍事等領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用，市場(chǎng)前景廣闊。)