国产欧美久久一区二区三区_AV资源每日更新网站_不卡在线播放一区二区三区_久久综合给合久久狠狠狠974_暴力强j激烈反抗AV_2021久久最新国产精品_野花视频官网_日韩一区二区三区免费_女同一区二区三区免费视频_婷婷精品免费久久久久久久

成果信息

本成果涉及一種基于自離子注入SOI材料的近紅外室溫發(fā)光器件，屬于光電子技術(shù)領(lǐng)域。本發(fā)明的發(fā)光器件在1.50-1.60μm范圍的室溫強(qiáng)發(fā)光，器件基于缺陷環(huán)及缺陷環(huán)附近點(diǎn)缺陷的發(fā)光，發(fā)光器件結(jié)構(gòu)從下往上分別是本征Si襯底→注氧的氧化Si隔離層→p+型Si下電極層→發(fā)光有源層→n+型Si上電極層，發(fā)光器件的外量子效率為0.05% ～0.8% 。 本發(fā)明突出的優(yōu)點(diǎn)為： 1、基于SOI的p-i-n結(jié)上制備的發(fā)光器件繼承了SOI結(jié)構(gòu)所具有的各種優(yōu)點(diǎn)，其中離子注入?yún)^(qū)域和發(fā)光有源層都在硅薄膜層； 2、獲得的發(fā)光器件在室溫下能穩(wěn)定發(fā)光，解決了近紅外LED器件和激光器低溫才能正常工作的問(wèn)題； 3、本發(fā)明提高了器件的外量子效率，可以達(dá)到0.05% -0.8%的范圍，從而增強(qiáng)了器件的發(fā)光強(qiáng)度。 )

背景介紹

SOI(Silicon On Insulator)材料是為了滿足衛(wèi)星、導(dǎo)彈、飛船航天電子控制系統(tǒng)的需要而發(fā)展起來(lái)的一種新型硅材料。采用這種材料制作的SOI— CMOS(Complementary Metal-Oxside-Semiconduator)電路，實(shí)現(xiàn)了完全介質(zhì)隔離，具有無(wú)鎖定、高速度、低功耗和強(qiáng)的抗福射能力等重要優(yōu)點(diǎn)。因而受到世 界各發(fā)達(dá)國(guó)家的高度重視。)

應(yīng)用前景

目前，基于離子注入SOI材料的近紅外室溫發(fā)光器件能夠獲得外量子效率為0.05% -0.8%的穩(wěn)定的室溫發(fā)光，并且國(guó)內(nèi)對(duì)離子注入SOI材料發(fā)光性能的研究較少，因此對(duì)它的研制具有廣闊的市場(chǎng)發(fā)展空間和應(yīng)用價(jià)值。)