成果信息
GaN襯底作為第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的基石，是新型照明光源、激光光源、全彩色光源、高溫高頻高功率微波器件等產(chǎn)業(yè)發(fā)展的關(guān)鍵支撐技術(shù)。本項(xiàng)目研發(fā)的目的就是為了打破發(fā)達(dá)國家的技術(shù)封鎖和壟斷，形成具有自主知識產(chǎn)權(quán)的制備GaN襯底晶片的設(shè)備，并在此設(shè)備上制備出高質(zhì)量GaN襯底。)
背景介紹
半導(dǎo)體技術(shù)的不斷發(fā)展，推動著半導(dǎo)體材料廣泛的應(yīng)用。半導(dǎo)體材料中，GaN具有的禁帶寬度大、擊穿電壓高、熱導(dǎo)率大、電子飽和漂移速度高、和良好的化學(xué)穩(wěn)定性等優(yōu)越性質(zhì)，使它成為迄今理論上電光轉(zhuǎn)換效率最高的材料體系。由于缺少GaN體單晶材料，GaN基材料的外延只能在異質(zhì)襯底上進(jìn)行。GaN基材料的晶體質(zhì)量、緩沖層的選擇和設(shè)計(jì)等都十分依賴襯底的特性。因此研究自支撐GaN襯底，實(shí)現(xiàn)GaN同質(zhì)外延是一個(gè)比較迫切且有意義的工作。)
應(yīng)用前景
開發(fā)的GaN同質(zhì)襯底制造設(shè)備，一方面給予下游生產(chǎn)、制造高性能半導(dǎo)體器件的企業(yè)以有力的支撐，進(jìn)而帶動整個(gè)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展；另一方面突破國外在GaN同質(zhì)襯底上的壟斷，更可以在國際競爭中獲得話語權(quán)，參與國際行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的制定，為今后我國GaN半導(dǎo)體技術(shù)和產(chǎn)業(yè)在國際競爭中占領(lǐng)有利的戰(zhàn)略地位，此項(xiàng)目市場前景廣闊，并具有很好的社會意義。)
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