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成果信息

本技術(shù)采用全自動(dòng)沉積系統(tǒng)，可以根據(jù)設(shè)定程序?qū)崿F(xiàn)自動(dòng)交替多循環(huán)沉積，克服了手動(dòng)沉積過(guò)程溶液交換、樣品氧化以及其它人為因素造成的諸多問(wèn)題?？捎糜谏L(zhǎng)IIB－VIA、IIIA－VA、IIIA－VIA、IVA－VIA和VA－VIA族等各種半導(dǎo)體納米超晶格薄膜材料，應(yīng)用極為廣泛。技術(shù)可實(shí)行對(duì)沉積過(guò)程每一步實(shí)時(shí)監(jiān)控，配置有Cview繪圖軟件，能對(duì)數(shù)據(jù)文件進(jìn)行多種坐標(biāo)顯示，具有圖形局部放大、曲線平滑、數(shù)據(jù)修正等功能，另外它還能進(jìn)行線性擬合、Tafel擬合等多種計(jì)算。 本項(xiàng)目研制開發(fā)了的電化學(xué)原子層外延自動(dòng)沉積系統(tǒng)目前在國(guó)內(nèi)僅此一臺(tái)，全世界也僅有三臺(tái)，另兩臺(tái)分別在美國(guó)的University of Georgia和意大利的Universita` di Firenze，本技術(shù)處于國(guó)內(nèi)領(lǐng)先水平。同時(shí)可作為高校和科研院所從事半導(dǎo)體納米超晶格薄膜研究，在微電子、光電子和生物芯片等領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用前景；還可用于高校本科電化學(xué)實(shí)驗(yàn)教學(xué)，市場(chǎng)應(yīng)用極為廣泛。 )

背景介紹

電化學(xué)具有室溫沉積、工藝設(shè)備簡(jiǎn)單等優(yōu)點(diǎn)，但常規(guī)的電化學(xué)共沉積方法往往得不到納米超晶格薄膜材料。原子層外延可以精確控制薄膜生長(zhǎng)，但工藝復(fù)雜，設(shè)備昂貴，原材料成本高，且需要高溫高真空條件。高溫將導(dǎo)致薄膜界面元素互擴(kuò)散，使薄膜界面混淆，降低其性能。本項(xiàng)目將電化學(xué)與原子層外延相結(jié)合，利用欠電位原理，在室溫下實(shí)現(xiàn)了對(duì)薄膜沉積的原子層級(jí)控制。)

應(yīng)用前景

利用本技術(shù)生產(chǎn)的半導(dǎo)體納米薄膜質(zhì)量高，通過(guò)對(duì)薄膜原子層級(jí)進(jìn)行控制，使得沉積的薄膜具有優(yōu)良的性能，由于是室溫沉積并與當(dāng)前微電子和光電子行業(yè)的電化學(xué)沉積有效兼容，使之具有很好的經(jīng)濟(jì)效益和社會(huì)效益。)