成果信息
本研究采用成本低廉的SnCl4·5H2O和SbCl3為初始反應(yīng)物,以氨水為沉淀劑水解共沉淀出Sn(OH)4和Sb(OH)3,經(jīng)過洗滌、干燥、燒結(jié)后得到摻銻氧化錫粉體;試驗(yàn)采用透射電鏡(TEM)實(shí)測(cè)粉體的粒徑大小和觀察粉體的形貌和聚集狀態(tài),利用X-ray衍射分析粉體的晶粒大小和物相,考察Sb在SnO2晶體中的狀態(tài);采用電子探針分析粉體中雜質(zhì)的含量,研究粉體的純度,采用熱分析儀對(duì)粉體前驅(qū)體進(jìn)行熱分析,考察粉體在煅燒中的變化,采用分光光度計(jì)分析粉體鍍膜后的透光率,考察摻雜對(duì)透光性的影響,采用四點(diǎn)探針法測(cè)定粉體鍍膜后的膜電阻,分析粉體的電學(xué)性能, 試驗(yàn)探討了各種制備參數(shù)對(duì)粉體相關(guān)性能的影響。)
背景介紹
納米材料是上世紀(jì)后期發(fā)展起來的一門新興學(xué)問,其研究對(duì)象的尺寸范圍為1~100nm,由于納米‘尺寸范圍內(nèi)的材料具有許多不同于常規(guī)材料的優(yōu)異性能,納米材料已經(jīng)成為本世紀(jì)各國(guó)研究的熱點(diǎn),包括中國(guó)在內(nèi)的許多國(guó)家均將納米材料的研究作為國(guó)家重點(diǎn)支持的領(lǐng)域,但目前國(guó)內(nèi)尚沒有一種成熟的工藝,國(guó)內(nèi)顯示器薄膜用ATO粉體或漿料的需求全部依靠進(jìn)口滿足。)
應(yīng)用前景
本成果可用于納米復(fù)合導(dǎo)電漿料,透明導(dǎo)電膜,電磁屏蔽涂層,透明隔熱涂層,發(fā)光線電極等領(lǐng)域,目前已經(jīng)在發(fā)光線等領(lǐng)域得到應(yīng)用,市場(chǎng)前景良好。)