成果信息
本項目利用磁控濺射技術(shù)成功實現(xiàn)微晶硅薄膜的制備是一項重大突破,從根本上克服了現(xiàn)有技術(shù)的缺點,具有綠色、高效、簡單等優(yōu)點。硅基薄膜材料在現(xiàn)代半導(dǎo)體工業(yè)中有著廣泛的應(yīng)用,例如在液晶顯示器、微電子器件、電腦存儲元件以及太陽電池等領(lǐng)域,硅基薄膜材料都發(fā)揮著至關(guān)重要的作用。尤其在被人們稱為“綠色”能源的太陽電池領(lǐng)域,硅基薄膜材料有著無可限量的應(yīng)用前景,基于微晶硅薄膜材料為基礎(chǔ)的新一代硅基太陽電池是現(xiàn)今全世界的研究熱點,被人們寄予了厚望。)
背景介紹
目前在工業(yè)上廣泛采用的CVD技術(shù)制備硅膜,工藝和設(shè)備復(fù)雜,成本高,且在安全和環(huán)保環(huán)節(jié)上投入巨大。我們在國內(nèi)首創(chuàng)出了微晶硅薄膜的PVD法沉積工藝,在溫度低于300度的條件下,在單晶硅片和普通玻璃片上制備出不同結(jié)晶度的微晶硅薄膜和納米結(jié)構(gòu)硅薄膜,可以得到具有高度<111>方向取向生長的微晶硅薄膜,并實現(xiàn)了控制工藝的穩(wěn)定性和可重復(fù)性。)
應(yīng)用前景
太陽能薄膜電池的傳統(tǒng)制造過程中會產(chǎn)生大量污染及耗費大量能源。本項目提供的技術(shù)屬于國內(nèi)獨有的前沿技術(shù),是太陽能薄膜電池生產(chǎn)所最求的新一代技術(shù),具有重大應(yīng)用價值,尤其在強調(diào)綠色制造的今天。)