成果信息
本項目的產(chǎn)品結(jié)構(gòu)為：襯底/Mo/CIGS/CdS/i-ZnO/ZnO:Al/Ni-Al；其中光吸收層CIGS薄膜為p型半導(dǎo)體，其表面貧Cu呈n型與緩沖層CdS和i-ZnO共同成為n層，構(gòu)成淺埋式p-n結(jié)。太陽光照射在電池上產(chǎn)生電子與空穴，被p-n結(jié)的自建電場分離，從而輸出電能。)
背景介紹
目前銅銦鎵硒(CIGS)太陽電池的工業(yè)化生產(chǎn)基本采用真空技術(shù)制備,需要很大的設(shè)備投資,生產(chǎn)周期長,增加了生產(chǎn)成本；CIGS薄膜太陽電池具有效率高，無衰退、抗幅射、壽命長等特點，采用非真空技術(shù)可以進(jìn)一步降低這種電池的成本，預(yù)計可達(dá)到0.6$/W。)
應(yīng)用前景
最近幾年，原子層沉積技術(shù)(ALD)快速發(fā)展，它是一種類似CVD的化學(xué)沉積制備薄膜的方法，主要優(yōu)點是制備的薄膜更加致密，缺陷更少，對襯底表面沒有任何要求。如果用這種方法制備CIGS薄膜太太陽庫專注為您建光伏電站陽能電池的緩沖層ZnS，不僅可以實現(xiàn)電池的無鎘化，避免廢水處理等不利因素，還可以實現(xiàn)電池制備工藝的流水化。整個工藝過程可以實現(xiàn)全真空化，提高電池轉(zhuǎn)化效率，同時提高電池的生產(chǎn)效率可應(yīng)用于合光電一體化建筑和大型并網(wǎng)電站項目，市場前景較為廣闊。)
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