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新型功能性連續(xù)SiC自由薄膜的制備工藝及其產(chǎn)業(yè)化

行業(yè)類別：金屬材料

所處階段：規(guī)?；a(chǎn)階段

持有單位：廈門大學(xué)

轉(zhuǎn)讓方式：技術(shù)轉(zhuǎn)讓,技術(shù)許可,技術(shù)入股,

轉(zhuǎn)讓價(jià)格：面議

預(yù)約服務(wù)

成果信息

本項(xiàng)目處于國(guó)際領(lǐng)先水平，主要?jiǎng)?chuàng)新點(diǎn)：(1) 采用熔融紡膜與先驅(qū)體轉(zhuǎn)化法相結(jié)合制備出了新型的功能性連續(xù)SiC自由薄膜（厚度8~100微米，寬度20毫米，連續(xù)長(zhǎng)度＞100米）；(2) 從原料的合成階段引入異質(zhì)元素改性，制備出了耐超高溫、低電阻率及高頻發(fā)光特性的連續(xù)SiC(Al)自由薄膜及適合太陽(yáng)能電池窗口材料的P型光伏薄膜。其主要特色有：自由薄膜制備具有成本低、工藝簡(jiǎn)單、可工程化及結(jié)構(gòu)功能一體化等特點(diǎn)，所制備的產(chǎn)品具有厚度與成分可控、高頻寬譜帶藍(lán)光、紫外光發(fā)射、強(qiáng)抗輻射能力、耐磨損、耐高溫及化學(xué)穩(wěn)定性好等優(yōu)良特性。此外，利用連續(xù)SiC自由薄膜獨(dú)特的性質(zhì)可在其表面形成一層連續(xù)的SiO2氧化層，這對(duì)各種制作以MOS為基礎(chǔ)的器件非常有利。 )

背景介紹

當(dāng)電子—聲學(xué)聲子耦合常數(shù)不變時(shí)，得到聲學(xué)極化子的基態(tài)能量隨自由薄膜厚度的增大而減小,自由薄膜厚度一定時(shí)，自由薄膜中聲學(xué)極化子基態(tài)能量隨電子—聲學(xué)聲子耦合常數(shù)的增大在減小。自由薄膜中的聲學(xué)極化子的自陷判別標(biāo)準(zhǔn)的近似值比一維聲學(xué)極化子的自陷判別標(biāo)準(zhǔn)大，但是比三維聲子極化子自陷標(biāo)準(zhǔn)??；所以，在自由薄膜中聲學(xué)極化子的自陷難度介于二維情況與三維情況之間。 )

應(yīng)用前景

連續(xù)SiC自由薄膜由于具有禁帶寬度大、致密度高、缺陷密度小、自支撐與無(wú)束縛、電子遷移率高、熱導(dǎo)率高、抗輻射能力強(qiáng)、化學(xué)穩(wěn)定性好以及與硅集成電路工藝兼容等特性而成為理想的新型寬帶隙半導(dǎo)體材料，在微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)、光電集成器件、藍(lán)光發(fā)光器件、光伏器件、高溫紫外光敏器件及高溫壓力傳感器等高技術(shù)領(lǐng)域上都顯示了很大的優(yōu)越性，其應(yīng)用前景十分廣闊。)