成果信息
本發(fā)明屬于碲化鉛（PbTe）薄膜和納米粉體的制備方法領(lǐng)域。本發(fā)明公開了一種PbTe薄膜和納米粉體的低溫水溶液同步合成方法，該方法以含鉛的無機(jī)鹽與二氧化碲或亞碲酸鈉為原料，以硼氫化鉀或硼氫化鈉為還原劑，在室溫至50 oC堿性水溶液下同時(shí)合成PbTe薄膜和納米粉末。本發(fā)明首次在低于100 oC且常壓下合成PbTe薄膜與納米粉體，制備的薄膜平整、致密、均勻；粉末產(chǎn)物粒徑小，粒度分布均勻，并可通過控制反應(yīng)溫度來控制粒徑大小。整個(gè)工藝使用的原料便宜易得，工藝簡單，容易實(shí)現(xiàn)規(guī)?；a(chǎn)，同時(shí)反應(yīng)過程中避免使用有機(jī)溶劑，有利于環(huán)保。)
背景介紹
碲化鉛具有非常優(yōu)良的熱電特性、光電特性和紅外光學(xué)特性，廣泛應(yīng)用于熱電器件、紅外光學(xué)元件、紅外薄膜器件和半導(dǎo)體探測器等。在薄膜方面，Pbte材料是IV-V I族窄禁帶半導(dǎo)體中唯一的離子鍵化合物，在紅外譜段的折射率高達(dá)5.5，在目前能實(shí)際使用的紅外鍍膜是最高的，可以有效減少紅外光學(xué)薄膜器件的膜層數(shù)，降低應(yīng)力，提高透射率。同時(shí)，pbte與zns、znse等低折射率材料膜層有良好的應(yīng)力配合，可使膜層的牢固度好，光學(xué)性質(zhì)穩(wěn)定。pbte薄膜通常采用真空蒸鍍、激光閃蒸、磁控濺射等物理方法制備，這些方法采用昂貴的鍍膜設(shè)備，成本較高；電化方法沉積pbte薄膜成本相對較低，但缺點(diǎn)在于必須使用導(dǎo)電基片，適用范圍較窄。 )
應(yīng)用前景
該項(xiàng)目制備合成的PbTe薄膜和納米粉體可廣泛應(yīng)用于熱電器件、太陽能電池、熒光器件、紅外光學(xué)元件、紅外薄膜器件和半導(dǎo)體探測器等領(lǐng)域，其應(yīng)用前景廣闊。)
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