成果信息
本發(fā)明涉及一種碳化硅納米線的制備方法領(lǐng)域。本發(fā)明所述的碳化硅納米線的制備方法如下：將不含氧的碳硅烷置于剛玉坩堝或剛玉舟內(nèi)，將剛玉坩堝或剛玉舟放在耐高溫板上面，然后把耐高溫板推入高溫爐，排出爐內(nèi)氧氣，并以6－15sccm的速率通入惰性氣體保護(hù)，以5－15℃/min的速度將爐溫升到1000－1100℃，保溫1－3小時后自然降到室溫。由本發(fā)明所述的碳化硅納米線的制備方法所得產(chǎn)物均為碳化硅納米線，長度比現(xiàn)有的方法制備的碳化硅納米線提高了2個量級，且制備方法簡單，原料便宜易得，設(shè)備要求簡化，成本低。)
背景介紹
SiC具有強(qiáng)度高、抗氧化、耐腐蝕、導(dǎo)熱性好及熱膨脹系數(shù)低等特性，可應(yīng)用在機(jī)械、電子、化工、能源、航空航天及環(huán)保等眾多領(lǐng)域。與宏觀尺度的SiC相比，納米SiC還具有室溫條件下光致發(fā)光的性能，是優(yōu)良的場發(fā)射陰極材料；此外，納米SiC具有儲氫、光催化和吸收雷達(dá)波等性能，在儲能、光催化和隱身材料等領(lǐng)域也具有非常廣闊的應(yīng)用前景。 )
應(yīng)用前景
SiC一維納米材料由于自身的微觀形貌和晶體結(jié)構(gòu)使其具備更多獨特的優(yōu)異性能和更加廣泛的應(yīng)用前景，被普遍認(rèn)為有望成為第三代寬帶隙半導(dǎo)體材料的重要組成單元。其主要廣泛應(yīng)用于：制造結(jié)構(gòu)器件的冶金、化工、機(jī)械、航天及能源等行業(yè)中使用的滑動軸承、液體燃料噴嘴、坩堝、大功率高頻率模具、半導(dǎo)體元器件、以及金屬及其它材料表面處理、復(fù)合材料等領(lǐng)域。 )
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