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成果信息

該項(xiàng)目采用4H-SiC半導(dǎo)體材料制備的紫外光電探測(cè)器，具有優(yōu)良的可見光盲、漏電低、靈敏度高的特性，其探測(cè)波長(zhǎng)范圍在200-380nm、響應(yīng)度約130mA/W、結(jié)電容約10fP、漏電流小于1pA、TO46金屬管平面光窗封裝。SiC紫外光電探測(cè)器的制備需要比較完整的半導(dǎo)體工藝線，其制備工藝包括清洗、光刻、氧化、干法刻蝕、濺射金屬、退火、劃片到封裝等過程，部分工藝要在較高的清潔度的潔凈室內(nèi)完成。)

背景介紹

光電探測(cè)器的原理是由輻射引起被照射材料電導(dǎo)率發(fā)生改變，光電探測(cè)器在軍事和國(guó)民經(jīng)濟(jì)的各個(gè)領(lǐng)域有廣泛用途。光電導(dǎo)體的另一應(yīng)用是用它做攝像管靶面，為了避免光生載流子擴(kuò)散引起圖像模糊，連續(xù)薄膜靶面都用高阻多晶材料，如PbS-PbO、Sb2S3等；其他材料可采取鑲嵌靶面的方法，整個(gè)靶面由約10萬個(gè)單獨(dú)探測(cè)器組成。)

應(yīng)用前景

該項(xiàng)目可用于大氣中的紫外強(qiáng)度告警、可燃?xì)怏w成分分析及醫(yī)學(xué)紫外熒光檢測(cè)等，應(yīng)用范圍較廣，經(jīng)濟(jì)效益顯著。)